TH58BYG2S3HBAI6
TH58BYG2S3HBAI6
Số Phần:
TH58BYG2S3HBAI6
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14102 Pieces
Bảng dữliệu:
TH58BYG2S3HBAI6.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TH58BYG2S3HBAI6, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TH58BYG2S3HBAI6 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TH58BYG2S3HBAI6 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Cung cấp:1.7 V ~ 1.95 V
Gói thiết bị nhà cung cấp:67-VFBGA (6.5x8)
Tốc độ:25ns
Loạt:Benand™
Bao bì:Tray
Gói / Case:67-VFBGA
Vài cái tên khác:TH58BYG2S3HBAI6JDH
TH58BYG2S3HBAI6YCL
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 85°C (TA)
Mức độ nhạy ẩm (MSL):3 (168 Hours)
Loại bộ nhớ:Non-Volatile
Kích thước bộ nhớ:4Gb (512M x 8)
Định dạng bộ nhớ:EEPROM
Số phần của nhà sản xuất:TH58BYG2S3HBAI6
giao diện:Parallel
Sự miêu tả:IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận