TK22A10N1,S4X
TK22A10N1,S4X
Số Phần:
TK22A10N1,S4X
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19187 Pieces
Bảng dữliệu:
TK22A10N1,S4X.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK22A10N1,S4X, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK22A10N1,S4X qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK22A10N1,S4X với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 300µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220SIS
Loạt:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:13.8 mOhm @ 11A, 10V
Điện cực phân tán (Max):30W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:TK22A10N1,S4X(S
TK22A10N1,S4X-ND
TK22A10N1S4X
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK22A10N1,S4X
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 50V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 22A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận