TK25N60X,S1F
TK25N60X,S1F
Số Phần:
TK25N60X,S1F
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19399 Pieces
Bảng dữliệu:
TK25N60X,S1F.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK25N60X,S1F, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK25N60X,S1F qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK25N60X,S1F với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-247
Loạt:DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:125 mOhm @ 7.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):180W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-247-3
Vài cái tên khác:TK25N60X,S1F(S
TK25N60XS1F
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK25N60X,S1F
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận