TK31E60X,S1X
TK31E60X,S1X
Số Phần:
TK31E60X,S1X
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19129 Pieces
Bảng dữliệu:
TK31E60X,S1X.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK31E60X,S1X, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK31E60X,S1X qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK31E60X,S1X với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.5mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220
Loạt:DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:88 mOhm @ 9.4A, 10V
Điện cực phân tán (Max):230W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:TK31E60X,S1X(S
TK31E60XS1X
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK31E60X,S1X
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận