TK35A65W5,S5X
TK35A65W5,S5X
Số Phần:
TK35A65W5,S5X
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16007 Pieces
Bảng dữliệu:
TK35A65W5,S5X.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK35A65W5,S5X, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK35A65W5,S5X qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK35A65W5,S5X với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 2.1mA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220SIS
Loạt:DTMOSIV
Rds On (Max) @ Id, VGS:95 mOhm @ 17.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):50W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vài cái tên khác:TK35A65W5,S5X(M
TK35A65W5S5X
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK35A65W5,S5X
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:4100pF @ 300V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:115nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 35A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:35A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận