TK4A53D(STA4,Q,M)
TK4A53D(STA4,Q,M)
Số Phần:
TK4A53D(STA4,Q,M)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19084 Pieces
Bảng dữliệu:
1.TK4A53D(STA4,Q,M).pdf2.TK4A53D(STA4,Q,M).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK4A53D(STA4,Q,M), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK4A53D(STA4,Q,M) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK4A53D(STA4,Q,M) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.4V @ 1mA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220SIS
Loạt:π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.7 Ohm @ 2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):35W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3 Full Pack
Vài cái tên khác:TK4A53D(STA4QM)
TK4A53DSTA4QM
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:TK4A53D(STA4,Q,M)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:490pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 525V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Xả để nguồn điện áp (Vdss):525V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận