TK9J90E,S1E
TK9J90E,S1E
Số Phần:
TK9J90E,S1E
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17824 Pieces
Bảng dữliệu:
TK9J90E,S1E.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TK9J90E,S1E, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TK9J90E,S1E qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TK9J90E,S1E với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 900µA
Vgs (Tối đa):±30V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-3P(N)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):250W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Vài cái tên khác:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TK9J90E,S1E
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:46nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):900V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 900V TO-3PN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận