TPC6111(TE85L,F,M)
TPC6111(TE85L,F,M)
Số Phần:
TPC6111(TE85L,F,M)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19692 Pieces
Bảng dữliệu:
1.TPC6111(TE85L,F,M).pdf2.TPC6111(TE85L,F,M).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPC6111(TE85L,F,M), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPC6111(TE85L,F,M) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPC6111(TE85L,F,M) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:VS-6 (2.9x2.8)
Loạt:U-MOSV
Rds On (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vài cái tên khác:TPC6111(TE85L,F)
TPC6111(TE85LFM)TR
TPC6111TE85LFM
TPC6111TE85LFTR
TPC6111TE85LFTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TPC6111(TE85L,F,M)
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:700pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 20V 5.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.5V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:5.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận