TPN7R506NH,L1Q
TPN7R506NH,L1Q
Số Phần:
TPN7R506NH,L1Q
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18025 Pieces
Bảng dữliệu:
TPN7R506NH,L1Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TPN7R506NH,L1Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TPN7R506NH,L1Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TPN7R506NH,L1Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Loạt:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, VGS:7.5 mOhm @ 13A, 10V
Điện cực phân tán (Max):700mW (Ta), 42W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerVDFN
Vài cái tên khác:TPN7R506NH,L1Q(M
TPN7R506NHL1QTR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TPN7R506NH,L1Q
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 30V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):6.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:26A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận