TRS10E65C,S1Q
TRS10E65C,S1Q
Số Phần:
TRS10E65C,S1Q
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16177 Pieces
Bảng dữliệu:
TRS10E65C,S1Q.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho TRS10E65C,S1Q, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho TRS10E65C,S1Q qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua TRS10E65C,S1Q với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.7V @ 10A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):650V
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220-2L
Tốc độ:No Recovery Time > 500mA (Io)
Loạt:-
Xếp Thời gian phục hồi (TRR):0ns
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-2
Vài cái tên khác:TRS10E65C,S1Q(S
TRS10E65C,S1Q-ND
TRS10E65CS1Q
Nhiệt độ hoạt động - Junction:175°C (Max)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:TRS10E65C,S1Q
Mô tả mở rộng:Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A (DC) Through Hole TO-220-2L
Loại diode:Silicon Carbide Schottky
Sự miêu tả:DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:90µA @ 650V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):10A (DC)
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận