UMD22NTR - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased UMD22NTR

UMD22NTR

Số Phần:: UMD22NTR

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13888 Pieces

Bảng dữliệu:: UMD22NTR.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UMD22NTR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UMD22NTR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua UMD22NTR với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Loại bóng bán dẫn:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	UMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	4.7k
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	UMD22NTR
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Sự miêu tả:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	80 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho UMD22NTR

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
DMC261050R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI5	Tin nhắn của bạn
NSBA113EDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563	Tin nhắn của bạn
NSBA114YDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563	Tin nhắn của bạn
NP0J1A300A	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL PNP SSSMINI6	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức