UMD5NTR - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased UMD5NTR

UMD5NTR

Số Phần:: UMD5NTR

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 19459 Pieces

Bảng dữliệu:: UMD5NTR.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UMD5NTR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UMD5NTR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua UMD5NTR với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	UMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k, 10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	47k, 4.7k
Power - Max:	150mW, 120mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	UMD5NTR
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW, 120mW Surface Mount UMT6
Sự miêu tả:	TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho UMD5NTR

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	MUN5230DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức