UMF5NTR - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased UMF5NTR

UMF5NTR

Số Phần:: UMF5NTR

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 12430 Pieces

Bảng dữliệu:: UMF5NTR.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UMF5NTR, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UMF5NTR qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua UMF5NTR với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V, 12V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Loại bóng bán dẫn:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:	UMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	47k
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	UMF5NTR
Tần số - Transition:	250MHz, 260MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
Sự miêu tả:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho UMF5NTR

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
PBLS6022D,115	Nexperia USA Inc.	TRANS PNP PREBIAS/PNP 6TSOP	Tin nhắn của bạn
DDA144EK-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	Tin nhắn của bạn
NSVBC114EPDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP BIAS SOT563	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức