UMH4NTN - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased UMH4NTN

UMH4NTN

Số Phần:: UMH4NTN

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 15482 Pieces

Bảng dữliệu:: UMH4NTN.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UMH4NTN, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UMH4NTN qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua UMH4NTN với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	UMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	-
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	10k
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Cut Tape (CT)
Gói / Case:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vài cái tên khác:	UMH4NTNCT
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	UMH4NTN
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Sự miêu tả:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	100 @ 1mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	-
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho UMH4NTN

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
BCR 116S E6727	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Tin nhắn của bạn
BCR 148S H6827	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	Tin nhắn của bạn
PEMB10,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666	Tin nhắn của bạn
DCX143EH-7	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	Tin nhắn của bạn
DDA114EK-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức