UNR511400L
UNR511400L
Số Phần:
UNR511400L
nhà chế tạo:
Panasonic
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
19441 Pieces
Bảng dữliệu:
UNR511400L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UNR511400L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UNR511400L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua UNR511400L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMini3-G1
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):10k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-70, SOT-323
Vài cái tên khác:UN5114-(TX)
UN5114-TX
UN5114TR
UN5114TR-ND
UNR511400LTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:UNR511400L
Tần số - Transition:80MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận