UNR5213G0L
UNR5213G0L
Số Phần:
UNR5213G0L
nhà chế tạo:
Panasonic
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14551 Pieces
Bảng dữliệu:
UNR5213G0L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UNR5213G0L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UNR5213G0L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua UNR5213G0L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:NPN - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMini3-F2
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-85
Vài cái tên khác:UNR5213G0LTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:UNR5213G0L
Tần số - Transition:150MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-F2
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS NPN 150MW SMINI3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:80 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận