UNR911DG0L
UNR911DG0L
Số Phần:
UNR911DG0L
nhà chế tạo:
Panasonic
Sự miêu tả:
TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17172 Pieces
Bảng dữliệu:
UNR911DG0L.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho UNR911DG0L, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho UNR911DG0L qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua UNR911DG0L với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:PNP - Pre-Biased
Gói thiết bị nhà cung cấp:SSMini3-F3
Loạt:-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):10k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):47k
Power - Max:125mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SC-89, SOT-490
Vài cái tên khác:UNR911DG0LTR
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:UNR911DG0L
Tần số - Transition:80MHz
Mô tả mở rộng:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 125mW Surface Mount SSMini3-F3
Sự miêu tả:TRANS PREBIAS PNP 125MW SSMINI3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 5mA, 10V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận