Mua VB20120S-E3/4W với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VB20120S-E3/4W
- Số Phần:
- VB20120S-E3/4W
- nhà chế tạo:
- Vishay / Semiconductor - Diodes Division
- Sự miêu tả:
- DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 13868 Pieces
- Bảng dữliệu:
- VB20120S-E3/4W.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho VB20120S-E3/4W, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VB20120S-E3/4W qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu: | 1.12V @ 20A |
|---|---|
| Voltage - DC Xếp (VR) (Max): | 120V |
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | TO-263AB |
| Tốc độ: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Loạt: | TMBS® |
| Bao bì: | Tube |
| Gói / Case: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction: | -40°C ~ 150°C |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 28 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | VB20120S-E3/4W |
| Mô tả mở rộng: | Diode Schottky 120V 20A Surface Mount TO-263AB |
| Loại diode: | Schottky |
| Sự miêu tả: | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB |
| Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR: | 300µA @ 120V |
| Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io): | 20A |
| Dung @ VR, F: | - |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho VB20120S-E3/4W
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
VB20120SG-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120C-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120SG-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120S-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120C-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120SG-M3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120SG-M3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120C-E3/8W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 | Tin nhắn của bạn |
|
VB20120C-E3/4W | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V TO263 | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog