VS-8EWS08S-M3
VS-8EWS08S-M3
Số Phần:
VS-8EWS08S-M3
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19475 Pieces
Bảng dữliệu:
VS-8EWS08S-M3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho VS-8EWS08S-M3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VS-8EWS08S-M3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua VS-8EWS08S-M3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.1V @ 8A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):800V
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-PAK (TO-252AA)
Tốc độ:Fast Recovery = 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:VS-8EWS08S-M3GI
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:VS-8EWS08S-M3
Mô tả mở rộng:Diode Standard 800V 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:50µA @ 800V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):8A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận