VS-8EWS12STRPBF
VS-8EWS12STRPBF
Số Phần:
VS-8EWS12STRPBF
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16398 Pieces
Bảng dữliệu:
VS-8EWS12STRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho VS-8EWS12STRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VS-8EWS12STRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua VS-8EWS12STRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Chuyển tiếp (VF) (Max) @ Nếu:1.1V @ 8A
Voltage - DC Xếp (VR) (Max):1200V (1.2kV)
Gói thiết bị nhà cung cấp:D-PAK (TO-252AA)
Tốc độ:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Loạt:-
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:8EWS12STRPBF
8EWS12STRPBF-ND
Q4803450
VS-8EWS12STRPBF-ND
VS-8EWS12STRPBFGITR
Nhiệt độ hoạt động - Junction:-55°C ~ 150°C
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:VS-8EWS12STRPBF
Mô tả mở rộng:Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Loại diode:Standard
Sự miêu tả:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Hiện tại - Xếp Rò rỉ @ VR:50µA @ 1200V
Hiện tại - Trung bình sửa chữa (Io):8A
Dung @ VR, F:-
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận