VS-GB100LP120N
Số Phần:
VS-GB100LP120N
nhà chế tạo:
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Sự miêu tả:
IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19417 Pieces
Bảng dữliệu:
VS-GB100LP120N.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho VS-GB100LP120N, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VS-GB100LP120N qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua VS-GB100LP120N với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):1200V
VCE (trên) (Max) @ Vge, Ic:1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Gói thiết bị nhà cung cấp:INT-A-PAK
Loạt:-
Power - Max:658W
Gói / Case:INT-A-Pak
Vài cái tên khác:VSGB100LP120N
Nhiệt độ hoạt động:-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC Thermistor:No
gắn Loại:Chassis Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:VS-GB100LP120N
Input Điện dung (Cies) @ VCE:7.43nF @ 25V
Đầu vào:Standard
Loại IGBT:-
Mô tả mở rộng:IGBT Module Single 1200V 200A 658W Chassis Mount INT-A-PAK
Sự miêu tả:IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):1mA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):200A
Cấu hình:Single
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận