VT6Z2T2R - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng VT6Z2T2R

VT6Z2T2R

Số Phần:: VT6Z2T2R

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 13742 Pieces

Bảng dữliệu:: VT6Z2T2R.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho VT6Z2T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho VT6Z2T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua VT6Z2T2R với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:	NPN, PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:	VMT6
Loạt:	-
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	6-SMD
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:	17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:	VT6Z2T2R
Tần số - Transition:	350MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6
Sự miêu tả:	TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	120 @ 1mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho VT6Z2T2R

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
EMZ2T2R	Rohm Semiconductor	TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6EMT	Tin nhắn của bạn
BC846SH6727XTSA1	Infineon Technologies	TRANS 2NPN 65V 0.1A SOT363	Tin nhắn của bạn
BC847CDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563	Tin nhắn của bạn
NSVT3946DP6T5G	ON Semiconductor	TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963	Tin nhắn của bạn
DMC904010R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN 50V 0.1A SSMINI6	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức