ZVN4210GTA
ZVN4210GTA
Số Phần:
ZVN4210GTA
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
13824 Pieces
Bảng dữliệu:
ZVN4210GTA.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho ZVN4210GTA, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ZVN4210GTA qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua ZVN4210GTA với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-223
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):2W (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-261-4, TO-261AA
Vài cái tên khác:ZVN4210GTR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:ZVN4210GTA
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:100pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 800mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:800mA (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận