ZXMN3A06DN8TA
ZXMN3A06DN8TA
Số Phần:
ZXMN3A06DN8TA
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19430 Pieces
Bảng dữliệu:
ZXMN3A06DN8TA.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho ZXMN3A06DN8TA, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ZXMN3A06DN8TA qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua ZXMN3A06DN8TA với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-SOP
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:35 mOhm @ 9A, 10V
Power - Max:1.8W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vài cái tên khác:ZXMN3A06DN8TR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:ZXMN3A06DN8TA
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:796pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:17.5nC @ 10V
Loại FET:2 N-Channel (Dual)
FET Feature:Logic Level Gate
Mô tả mở rộng:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.9A 1.8W Surface Mount 8-SOP
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.9A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận