ZXTD1M832TA - Diodes Incorporated - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng ZXTD1M832TA

ZXTD1M832TA

Số Phần:: ZXTD1M832TA

nhà chế tạo:: Diodes Incorporated

Sự miêu tả:: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 16784 Pieces

Bảng dữliệu:: ZXTD1M832TA.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho ZXTD1M832TA, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho ZXTD1M832TA qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua ZXTD1M832TA với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	12V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 150mA, 4A
Loại bóng bán dẫn:	2 PNP (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	8-MLP (3x2)
Loạt:	-
Power - Max:	1.7W
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	8-VDFN Exposed Pad
Vài cái tên khác:	ZXTD1M832TATR
Nhiệt độ hoạt động:	-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	ZXTD1M832TA
Tần số - Transition:	110MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 4A 110MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Sự miêu tả:	TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	180 @ 2.5A, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	25nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	4A
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho ZXTD1M832TA

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
ULQ2003D1013TRY	STMicroelectronics	TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO	Tin nhắn của bạn
ULQ2802A	STMicroelectronics	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP	Tin nhắn của bạn
CA3083M96	Intersil	TRANS 5NPN 15V 0.1A 16SOIC	Tin nhắn của bạn
2N5794U	TT Electronics/Optek Technology	TRANS 2NPN 40V 0.6A 6CLCC	Tin nhắn của bạn
DN0150BDJ-7	Diodes Incorporated	TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức