2SB1302S-TD-E
2SB1302S-TD-E
Số Phần:
2SB1302S-TD-E
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15180 Pieces
Bảng dữliệu:
2SB1302S-TD-E.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SB1302S-TD-E, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SB1302S-TD-E qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SB1302S-TD-E với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 60mA, 3A
Loại bóng bán dẫn:PNP
Gói thiết bị nhà cung cấp:PCP
Loạt:-
Power - Max:1.3W
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-243AA
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:18 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2SB1302S-TD-E
Tần số - Transition:320MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 5A 320MHz 1.3W Surface Mount PCP
Sự miêu tả:TRANS PNP 20V 5A SOT89-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:100 @ 500mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):5A
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận