2SC3326-B,LF
Số Phần:
2SC3326-B,LF
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16878 Pieces
Bảng dữliệu:
2SC3326-B,LF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho 2SC3326-B,LF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho 2SC3326-B,LF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua 2SC3326-B,LF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):20V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:100mV @ 3mA, 30mA
Loại bóng bán dẫn:NPN
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-236
Loạt:-
Power - Max:150mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:2SC3326-B (TE85L,F)
2SC3326-B(TE85L,F)
2SC3326-B,LF(B
2SC3326-B,LF(T
2SC3326-BLFTR
2SC3326BTE85LF
2SC3326BTE85LFTR
2SC3326BTE85LFTR-ND
Nhiệt độ hoạt động:125°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:2SC3326-B,LF
Tần số - Transition:30MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 300mA 30MHz 150mW Surface Mount TO-236
Sự miêu tả:TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:350 @ 4mA, 2V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):300mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận