BSS806NEH6327XTSA1
Số Phần:
BSS806NEH6327XTSA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12753 Pieces
Bảng dữliệu:
BSS806NEH6327XTSA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho BSS806NEH6327XTSA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho BSS806NEH6327XTSA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua BSS806NEH6327XTSA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:0.75V @ 11µA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-SOT23-3
Loạt:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:57 mOhm @ 2.3A, 2.5V
Điện cực phân tán (Max):500mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vài cái tên khác:BSS806NEH6327XTSA1-ND
BSS806NEH6327XTSA1TR
SP000999336
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:BSS806NEH6327XTSA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:529pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:1.7nC @ 2.5V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 20V 2.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.8V, 2.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):20V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2.3A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận