DMP1100UCB4-7
DMP1100UCB4-7
Số Phần:
DMP1100UCB4-7
nhà chế tạo:
Diodes Incorporated
Sự miêu tả:
MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14921 Pieces
Bảng dữliệu:
DMP1100UCB4-7.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho DMP1100UCB4-7, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho DMP1100UCB4-7 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua DMP1100UCB4-7 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Vgs (Tối đa):±8V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:X2-WLB0808-4
Loạt:Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, VGS:83 mOhm @ 3A, 4.5V
Điện cực phân tán (Max):670mW (Ta)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:4-UFBGA, WLBGA
Vài cái tên khác:DMP1100UCB4-7DITR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:DMP1100UCB4-7
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:820pF @ 6V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Loại FET:P-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:P-Channel 12V 2.5A (Ta) 670mW (Ta) Surface Mount X2-WLB0808-4
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):1.3V, 4.5V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):12V
Sự miêu tả:MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận