R6009ENJTL
R6009ENJTL
Số Phần:
R6009ENJTL
nhà chế tạo:
LAPIS Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16566 Pieces
Bảng dữliệu:
R6009ENJTL.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho R6009ENJTL, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho R6009ENJTL qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua R6009ENJTL với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 1mA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:LPTS (D2PAK)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:535 mOhm @ 2.8A, 10V
Điện cực phân tán (Max):40W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:R6009ENJTLDKR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:R6009ENJTL
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:430pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount LPTS (D2PAK)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 9A LPT
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận