EMB6T2R - Rohm Semiconductor - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng, Pre-Biased EMB6T2R

EMB6T2R

Số Phần:: EMB6T2R

nhà chế tạo:: LAPIS Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 17224 Pieces

Bảng dữliệu:: EMB6T2R.pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMB6T2R, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMB6T2R qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua EMB6T2R với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:	EMT6
Loạt:	-
Điện trở - Emitter Base (R2) (Ohms):	47k
Điện trở - Base (R1) (Ohms):	47k
Power - Max:	150mW
Bao bì:	Tape & Reel (TR)
Gói / Case:	SOT-563, SOT-666
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	EMB6T2R
Tần số - Transition:	250MHz
Mô tả mở rộng:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 30mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Sự miêu tả:	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	68 @ 5mA, 5V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	500nA
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	30mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho EMB6T2R

Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
PBLS4004V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	Tin nhắn của bạn
IMH9AT110	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6	Tin nhắn của bạn
PEMH13,315	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666	Tin nhắn của bạn
DCX142JU-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức