EMX2DXV6T5G
EMX2DXV6T5G
Số Phần:
EMX2DXV6T5G
nhà chế tạo:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18651 Pieces
Bảng dữliệu:
EMX2DXV6T5G.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho EMX2DXV6T5G, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EMX2DXV6T5G qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua EMX2DXV6T5G với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):50V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:400mV @ 5mA, 50mA
Loại bóng bán dẫn:2 NPN (Dual)
Gói thiết bị nhà cung cấp:SOT-563
Loạt:-
Power - Max:500mW
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:SOT-563, SOT-666
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:2 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:EMX2DXV6T5G
Tần số - Transition:180MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 180MHz 500mW Surface Mount SOT-563
Sự miêu tả:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:120 @ 1mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):500nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận