Mua EPC2102ENGRT với BYCHPS
Mua với đảm bảo
EPC2102ENGRT
- Số Phần:
- EPC2102ENGRT
- nhà chế tạo:
- EPC
- Sự miêu tả:
- MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE
- Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
- Không có chì / tuân thủ RoHS
- Số lượng có sẵn:
- 13994 Pieces
- Bảng dữliệu:
- EPC2102ENGRT.pdf
Giới thiệu
BYCHIPS là nhà phân phối cho EPC2102ENGRT, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho EPC2102ENGRT qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Thông số kỹ thuật
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 7mA |
|---|---|
| Gói thiết bị nhà cung cấp: | Die |
| Loạt: | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, VGS: | 4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Power - Max: | - |
| Bao bì: | Original-Reel® |
| Gói / Case: | Die |
| Vài cái tên khác: | 917-EPC2102ENGRDKR |
| Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| gắn Loại: | Surface Mount |
| Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Thời gian chuẩn của nhà sản xuất: | 22 Weeks |
| Số phần của nhà sản xuất: | EPC2102ENGRT |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 830pF @ 30V |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 5V |
| Loại FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Mô tả mở rộng: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A (Tj) Surface Mount Die |
| Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 60V |
| Sự miêu tả: | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 23A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
bộ phận liên quan cho EPC2102ENGRT
| hình ảnh | Số Phần | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Lượt xem |
|---|---|---|---|---|
 |
EPC2103ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
 |
EPC2110ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
 |
EPC2100ENGRT | EPC | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2104ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 100V 23A DIE | Tin nhắn của bạn |
 |
EPC2106ENGRT | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2104ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2103ENGRT | EPC | TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2100ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
 |
EPC2108ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2102ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2101ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2107ENGRT | EPC | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
|
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Tin nhắn của bạn |
Latest Tin tức
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog