FQA55N10
FQA55N10
Số Phần:
FQA55N10
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
17474 Pieces
Bảng dữliệu:
FQA55N10.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho FQA55N10, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho FQA55N10 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua FQA55N10 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-3P
Loạt:QFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:26 mOhm @ 30.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):190W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-3P-3, SC-65-3
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:FQA55N10
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:2730pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:98nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 61A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-3P
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:61A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận