IXTY1R4N120P
Số Phần:
IXTY1R4N120P
nhà chế tạo:
IXYS Corporation
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16932 Pieces
Bảng dữliệu:
IXTY1R4N120P.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IXTY1R4N120P, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IXTY1R4N120P qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IXTY1R4N120P với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 100µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252, (D-Pak)
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:-
Điện cực phân tán (Max):-
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:8 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IXTY1R4N120P
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:-
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:-
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 1200V (1.2kV) 1.4A (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Xả để nguồn điện áp (Vdss):1200V (1.2kV)
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận