HN4A06J(TE85L,F)
HN4A06J(TE85L,F)
Số Phần:
HN4A06J(TE85L,F)
nhà chế tạo:
Toshiba Semiconductor
Sự miêu tả:
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14441 Pieces
Bảng dữliệu:
HN4A06J(TE85L,F).pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN4A06J(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN4A06J(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HN4A06J(TE85L,F) với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):120V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Gói thiết bị nhà cung cấp:SMV
Loạt:-
Power - Max:300mW
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:SC-74A, SOT-753
Vài cái tên khác:HN4A06J(TE85LF)DKR
Nhiệt độ hoạt động:150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HN4A06J(TE85L,F)
Tần số - Transition:100MHz
Mô tả mở rộng:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Sự miêu tả:TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):100mA
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận