HN4A06J(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - Transitor - Lưỡng cực (BJT) - Mảng HN4A06J(TE85L,F)

HN4A06J(TE85L,F)

Số Phần:: HN4A06J(TE85L,F)

nhà chế tạo:: Toshiba Semiconductor

Sự miêu tả:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV

Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:: Không có chì / tuân thủ RoHS

Số lượng có sẵn:: 14441 Pieces

Bảng dữliệu:: HN4A06J(TE85L,F).pdf

Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HN4A06J(TE85L,F), chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HN4A06J(TE85L,F) qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.

Mua HN4A06J(TE85L,F) với BYCHPS

Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):	120V
VCE Saturation (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
Loại bóng bán dẫn:	2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
Gói thiết bị nhà cung cấp:	SMV
Loạt:	-
Power - Max:	300mW
Bao bì:	Original-Reel®
Gói / Case:	SC-74A, SOT-753
Vài cái tên khác:	HN4A06J(TE85LF)DKR
Nhiệt độ hoạt động:	150°C (TJ)
gắn Loại:	Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):	1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:	HN4A06J(TE85L,F)
Tần số - Transition:	100MHz
Mô tả mở rộng:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV
Sự miêu tả:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, VCE:	200 @ 2mA, 6V
Hiện tại - Collector Cutoff (Max):	100nA (ICBO)
Hiện tại - Collector (Ic) (Max):	100mA
Email:	[email protected]

bộ phận liên quan cho HN4A06J(TE85L,F)

hình ảnh	Số Phần	Nhà sản xuất của	Sự miêu tả	Lượt xem
	BC856S,125	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP	Tin nhắn của bạn
	HN2A01FE-GR(TE85LF	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6	Tin nhắn của bạn

Giới thiệu

Thông số kỹ thuật

Nhanh Tìm Quote

Latest Tin tức