HUFA76609D3ST_F085
HUFA76609D3ST_F085
Số Phần:
HUFA76609D3ST_F085
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19655 Pieces
Bảng dữliệu:
HUFA76609D3ST_F085.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HUFA76609D3ST_F085, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HUFA76609D3ST_F085 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HUFA76609D3ST_F085 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252AA
Loạt:Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 10A, 10V
Điện cực phân tán (Max):49W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HUFA76609D3ST_F085
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:425pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận