HUFA76609D3
HUFA76609D3
Số Phần:
HUFA76609D3
nhà chế tạo:
Fairchild/ON Semiconductor
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
12445 Pieces
Bảng dữliệu:
HUFA76609D3.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho HUFA76609D3, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho HUFA76609D3 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua HUFA76609D3 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-251AA
Loạt:UltraFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:160 mOhm @ 10A, 10V
Điện cực phân tán (Max):49W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:HUFA76609D3
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:425pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-251AA
Xả để nguồn điện áp (Vdss):100V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:10A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận