IPB65R660CFD
IPB65R660CFD
Số Phần:
IPB65R660CFD
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15414 Pieces
Bảng dữliệu:
IPB65R660CFD.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPB65R660CFD, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPB65R660CFD qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPB65R660CFD với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 200µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO263
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:660 mOhm @ 2.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):62.5W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vài cái tên khác:IPB65R660CFD-ND
IPB65R660CFDATMA1
SP000861698
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPB65R660CFD
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:615pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 6A TO263
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận