IPD65R1K0CEAUMA1
IPD65R1K0CEAUMA1
Số Phần:
IPD65R1K0CEAUMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V TO-252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
15004 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD65R1K0CEAUMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD65R1K0CEAUMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD65R1K0CEAUMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD65R1K0CEAUMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 200µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO252-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1 Ohm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):68W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:SP001421368
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:6 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD65R1K0CEAUMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:328pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15.3nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 7.2A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V TO-252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:7.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận