IPD80R280P7ATMA1
IPD80R280P7ATMA1
Số Phần:
IPD80R280P7ATMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19157 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD80R280P7ATMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD80R280P7ATMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD80R280P7ATMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD80R280P7ATMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 360µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:280 mOhm @ 7.2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):101W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD80R280P7ATMA1TR
SP001422596
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPD80R280P7ATMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1200pF @ 500V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:Super Junction
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 17A (Tc) 101W (Tc) Surface Mount TO-252
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 17A TO252
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:17A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận