IPD80R2K8CEBTMA1
IPD80R2K8CEBTMA1
Số Phần:
IPD80R2K8CEBTMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19199 Pieces
Bảng dữliệu:
IPD80R2K8CEBTMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPD80R2K8CEBTMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPD80R2K8CEBTMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPD80R2K8CEBTMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.9V @ 120µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-252-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):42W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vài cái tên khác:IPD80R2K8CEBTMA1TR
SP001100602
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IPD80R2K8CEBTMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
Xả để nguồn điện áp (Vdss):800V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.9A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận