IPS65R950C6AKMA1
IPS65R950C6AKMA1
Số Phần:
IPS65R950C6AKMA1
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18077 Pieces
Bảng dữliệu:
IPS65R950C6AKMA1.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IPS65R950C6AKMA1, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IPS65R950C6AKMA1 qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IPS65R950C6AKMA1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 200µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PG-TO251-3
Loạt:CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, VGS:950 mOhm @ 1.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):37W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-251-3 Stub Leads, IPak
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:12 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IPS65R950C6AKMA1
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:328pF @ 100V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:15.3nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 650V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):650V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:4.5A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận