Mua IRF6691TR1 với BYCHPS
Mua với đảm bảo
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
---|---|
Công nghệ: | MOSFET (Metal Oxide) |
Gói thiết bị nhà cung cấp: | DIRECTFET™ MT |
Loạt: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, VGS: | 1.8 mOhm @ 15A, 10V |
Điện cực phân tán (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Bao bì: | Tape & Reel (TR) |
Gói / Case: | DirectFET™ Isometric MT |
Vài cái tên khác: | SP001530888 |
Nhiệt độ hoạt động: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
gắn Loại: | Surface Mount |
Mức độ nhạy ẩm (MSL): | 3 (168 Hours) |
Số phần của nhà sản xuất: | IRF6691TR1 |
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds: | 6580pF @ 10V |
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs: | 71nC @ 4.5V |
Loại FET: | N-Channel |
FET Feature: | - |
Mô tả mở rộng: | N-Channel 20V 32A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
Xả để nguồn điện áp (Vdss): | 20V |
Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET |
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C: | 32A (Ta), 180A (Tc) |
Email: | [email protected] |