IRF7749L1TRPBF
IRF7749L1TRPBF
Số Phần:
IRF7749L1TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
14833 Pieces
Bảng dữliệu:
IRF7749L1TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRF7749L1TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRF7749L1TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRF7749L1TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:DIRECTFET L8
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.5 mOhm @ 120A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.3W (Ta), 125W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:DirectFET™ Isometric L8
Vài cái tên khác:IRF7749L1TRPBF-ND
IRF7749L1TRPBF-NDTR
SP001555556
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:17 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRF7749L1TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:12320pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:300nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 33A (Ta), 200A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DIRECTFET L8
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:33A (Ta), 200A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận