IRFB9N30APBF
IRFB9N30APBF
Số Phần:
IRFB9N30APBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
19722 Pieces
Bảng dữliệu:
1.IRFB9N30APBF.pdf2.IRFB9N30APBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFB9N30APBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFB9N30APBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFB9N30APBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:450 mOhm @ 5.6A, 10V
Điện cực phân tán (Max):96W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:*IRFB9N30APBF
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFB9N30APBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 300V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Xả để nguồn điện áp (Vdss):300V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.3A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận