IRFB9N60A
IRFB9N60A
Số Phần:
IRFB9N60A
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Chứa chì / RoHS không tuân thủ
Số lượng có sẵn:
18521 Pieces
Bảng dữliệu:
1.IRFB9N60A.pdf2.IRFB9N60A.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFB9N60A, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFB9N60A qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFB9N60A với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:TO-220AB
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:750 mOhm @ 5.5A, 10V
Điện cực phân tán (Max):170W (Tc)
Bao bì:Tube
Gói / Case:TO-220-3
Vài cái tên khác:*IRFB9N60A
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Số phần của nhà sản xuất:IRFB9N60A
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:1400pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
Xả để nguồn điện áp (Vdss):600V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:9.2A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận