IRFD014PBF
IRFD014PBF
Số Phần:
IRFD014PBF
nhà chế tạo:
Vishay / Siliconix
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
18678 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFD014PBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFD014PBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFD014PBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFD014PBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Loạt:-
Rds On (Max) @ Id, VGS:200 mOhm @ 1A, 10V
Điện cực phân tán (Max):1.3W (Ta)
Bao bì:Tube
Gói / Case:4-DIP (0.300", 7.62mm)
Vài cái tên khác:*IRFD014PBF
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 175°C (TJ)
gắn Loại:Through Hole
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:10 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFD014PBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 25V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:11nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):60V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:1.7A (Ta)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận