IRFH8303TRPBF
IRFH8303TRPBF
Số Phần:
IRFH8303TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16137 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFH8303TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFH8303TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFH8303TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFH8303TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 150µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:8-PQFN (5x6)
Loạt:HEXFET®, StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, VGS:1.1 mOhm @ 50A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.7W (Ta), 156W (Tc)
Bao bì:Tape & Reel (TR)
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:IRFH8303TRPBF-ND
IRFH8303TRPBFTR
SP001554820
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFH8303TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:7736pF @ 24V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:179nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 43A (Ta), 100A (Tc) 3.7W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:43A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận