IRFH8337TRPBF
IRFH8337TRPBF
Số Phần:
IRFH8337TRPBF
nhà chế tạo:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Sự miêu tả:
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Tình trạng Miễn phí Tình trạng / Tình trạng RoHS:
Không có chì / tuân thủ RoHS
Số lượng có sẵn:
16198 Pieces
Bảng dữliệu:
IRFH8337TRPBF.pdf

Giới thiệu

BYCHIPS là nhà phân phối cho IRFH8337TRPBF, chúng tôi có các cổ phiếu cho vận chuyển ngay lập tức và cũng có sẵn để cung cấp thời gian dài. Vui lòng gửi cho chúng tôi gói mua hàng của bạn cho IRFH8337TRPBF qua email, chúng tôi sẽ cung cấp cho bạn một mức giá tốt nhất theo kế hoạch của bạn.
Mua IRFH8337TRPBF với BYCHPS
Mua với đảm bảo

Thông số kỹ thuật

VGS (th) (Max) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (Tối đa):±20V
Công nghệ:MOSFET (Metal Oxide)
Gói thiết bị nhà cung cấp:PQFN (5x6)
Loạt:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, VGS:12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
Điện cực phân tán (Max):3.2W (Ta), 27W (Tc)
Bao bì:Original-Reel®
Gói / Case:8-PowerTDFN
Vài cái tên khác:IRFH8337TRPBFDKR
Nhiệt độ hoạt động:-55°C ~ 150°C (TJ)
gắn Loại:Surface Mount
Mức độ nhạy ẩm (MSL):1 (Unlimited)
Thời gian chuẩn của nhà sản xuất:16 Weeks
Số phần của nhà sản xuất:IRFH8337TRPBF
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 10V
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 10V
Loại FET:N-Channel
FET Feature:-
Mô tả mở rộng:N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Xả để nguồn điện áp (Vdss):30V
Sự miêu tả:MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C:12A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

Nhanh Tìm Quote

Số Phần
Số lượng
Công ty
E-mail
Điện thoại
Bình luận